半導(dǎo)體三強(qiáng)臺(tái)積電、三星及英特爾下半年都會(huì)擴(kuò)大資本支出，臺(tái)積電將比上半年大增逾九成，顯示三大廠衝刺先進(jìn)製程腳步不停歇，預(yù)期將帶動(dòng)供應(yīng)鏈如漢微科、崇越、臺(tái)勝科等設(shè)備廠營(yíng)運(yùn)動(dòng)能。
市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights最新調(diào)查，預(yù)估今年全球半導(dǎo)體資本支出僅年增3%、但優(yōu)于去年的衰退2%，臺(tái)積電、三星與英特爾的投資動(dòng)作都集中在下半年，資本支出總額有機(jī)會(huì)比上半年跳增20%，其中臺(tái)積電、三星及英特爾三巨頭支出成長(zhǎng)率更將高達(dá)90%，半導(dǎo)體設(shè)備廠營(yíng)運(yùn)升溫；其他半導(dǎo)體業(yè)者下半年資本支出則比上半年萎縮16%。
調(diào)查報(bào)告指出，臺(tái)積、三星與英特爾上半年資本支出占整體半導(dǎo)體業(yè)支出的45%。臺(tái)積電上半年資本支出約34億美元，由于臺(tái)積電稍早于法說(shuō)會(huì)表示，考量10奈米製程訂單超乎預(yù)期，上修全年資本支出到95億~105億美元，若取中間值推估，下半年資本支出將達(dá)66億美元，等于比上半年大增94%。
法人表示，臺(tái)積電下半年資本支出集中在布建10奈米及7奈米先進(jìn)製程產(chǎn)能及試產(chǎn)線，以及5奈米製程研發(fā)，預(yù)料採(cǎi)購(gòu)設(shè)備仍集中于前段製程，包括浸潤(rùn)機(jī)、極紫外光設(shè)備、光罩及離子植入、化學(xué)及機(jī)械研磨和晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備等，預(yù)料帶給相關(guān)供應(yīng)鏈漢微科、應(yīng)材、科磊、東京威力及科林研發(fā)等大廠龐大商機(jī)。
隨臺(tái)積第3季產(chǎn)能利用率拉升，加上40／28及16奈米三大製程齊發(fā)威，也可望為中砂、崇越、臺(tái)勝科、閎康、京鼎等營(yíng)運(yùn)添助力；不過(guò)，因相關(guān)先進(jìn)封測(cè)設(shè)備已在上半年到位，預(yù)料拉貨動(dòng)能減弱，后段封測(cè)設(shè)備廠弘塑、辛耘等動(dòng)能相對(duì)減弱。
三星上半年資本支出也僅34億美元，占今年資本支出總額110億美元的31%，等于下半年會(huì)跳增120%，與臺(tái)積電較勁意味濃厚。
